IRF7105PBF

MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
IRF7105PBF P1
IRF7105PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7105PBF

Numéro d'article
IRF7105PBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article IRF7105PBF
État de la pièce Not For New Designs
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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