IRF6894MTR1PBF

MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
IRF6894MTR1PBF P1
IRF6894MTR1PBF P2
IRF6894MTR1PBF P1
IRF6894MTR1PBF P2
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Infineon Technologies ~ IRF6894MTR1PBF

Numéro d'article
IRF6894MTR1PBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
IRF6894MTR1PBF.pdf IRF6894MTR1PBF PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article IRF6894MTR1PBF
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 32A (Ta), 160A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4160pF @ 13V
Vgs (Max) ±16V
FET Caractéristique Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3 mOhm @ 33A, 10V
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DIRECTFET™ MX
Paquet / cas DirectFET™ Isometric MX

Produits connexes

Tous les produits