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| Numéro d'article | IPB60R360P7ATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 600V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 9A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 555pF @ 400V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 41W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D²PAK (TO-263AB) |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Détails | |
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IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Détails | |
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IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 17734 | Détails |
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IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 22187 | Détails |
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IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 0 | Détails |
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IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 19308 | Détails |
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IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Détails | |
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IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | - | 3000 | Détails |
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IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Détails |