IGB20N60H3ATMA1

IGBT 600V 40A 170W TO263-3
IGB20N60H3ATMA1 P1
IGB20N60H3ATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IGB20N60H3ATMA1

Numéro d'article
IGB20N60H3ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT 600V 40A 170W TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IGB20N60H3ATMA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article IGB20N60H3ATMA1
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A
Puissance - Max 170W
Échange d'énergie 690µJ
Type d'entrée Standard
Charge de porte 120nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 16ns/194ns
Condition de test 400V, 20A, 14.6 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur D²PAK (TO-263AB)

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