IDB23E60ATMA1

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
IDB23E60ATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IDB23E60ATMA1

Numéro d'article
IDB23E60ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IDB23E60ATMA1 PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
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Numéro d'article IDB23E60ATMA1
État de la pièce Obsolete
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Courant - Rectifié moyen (Io) 41A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 2V @ 23A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 120ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 50µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package de périphérique fournisseur PG-TO263-3-2
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 175°C

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