DD1200S17H4B2BOSA2

DIODE MODULE 1200V 1200A
DD1200S17H4B2BOSA2 P1
DD1200S17H4B2BOSA2 P1
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Infineon Technologies ~ DD1200S17H4B2BOSA2

Numéro d'article
DD1200S17H4B2BOSA2
Fabricant
Infineon Technologies
La description
DIODE MODULE 1200V 1200A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article DD1200S17H4B2BOSA2
État de la pièce Active
Configuration de diode 2 Independent
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 1700V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) -
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 2.1V @ 1200A
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 1250A @ 900V
Température de fonctionnement - Jonction -40°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur AG-IHMB130-1

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