Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | BSZ014NE2LS5IFATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 31A (Ta), 40A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 12V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| FET Caractéristique | Schottky Diode (Body) |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.45 mOhm @ 20A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TSDSON-8-FL |
| Paquet / cas | 8-PowerTDFN |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSZ014NE2LS5IFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON | 0 | Détails |