BSM15GD120DN2BOSA1

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
BSM15GD120DN2BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM15GD120DN2BOSA1

Numéro d'article
BSM15GD120DN2BOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- BSM15GD120DN2BOSA1 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article BSM15GD120DN2BOSA1
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT -
Configuration Three Phase Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 25A
Puissance - Max 145W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 15A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 100pF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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