BSM100GB170DN2HOSA1

MODULE IGBT 1700V
BSM100GB170DN2HOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSM100GB170DN2HOSA1

Numéro d'article
BSM100GB170DN2HOSA1
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MODULE IGBT 1700V
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article BSM100GB170DN2HOSA1
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 145A
Puissance - Max 1000W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 16nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Module
Package de périphérique fournisseur Module

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