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| Numéro d'article | BSC100N10NSFGATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11.4A (Ta), 90A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 110µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 25A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TDSON-8 |
| Paquet / cas | 8-PowerTDFN |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BSC100N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 | 0 | Détails | |
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BSC100N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8 | - | 15000 | Détails |
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BSC100N06LS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8 | - | 35000 | Détails |
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BSC100N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 | - | 0 | Détails |