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| Numéro d'article | BSC010N04LSATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 38A (Ta), 100A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 mOhm @ 50A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TDSON-8 FL |
| Paquet / cas | 8-PowerTDFN |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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BSC010N04LS6ATMA1 | Infineon Technologies | TRENCH 40V | - | 56873 | Détails |
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BSC010N04LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 | - | 20000 | Détails |
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BSC010N04LSCATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 60854 | Détails |
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BSC010N04LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON | 15000 | Détails | |
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BSC010N04LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 48933 | Détails |
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BSC010NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 35000 | Détails |
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BSC010NE2LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 | - | 87725 | Détails |
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BSC010NE2LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | - | 25000 | Détails |
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BSC010NE2LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 38A TDSON-8 | - | 81876 | Détails |