MBRTA600200R

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER
MBRTA600200R P1
MBRTA600200R P1
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GeneSiC Semiconductor ~ MBRTA600200R

Numéro d'article
MBRTA600200R
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
La description
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Diodes - Redresseurs - Matrices
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Numéro d'article MBRTA600200R
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Anode
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 300A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 920mV @ 300A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 4mA @ 200V
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Three Tower
Package de périphérique fournisseur Three Tower

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