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| Numéro d'article | GB2X50MPS12-227 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Configuration de diode | 2 Independent |
| Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) | 93A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 50A |
| La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 1200V |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GB2X50MPS12-227 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1200V 100A SOT-227 | - | 719 | Détails |