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| Numéro d'article | GB100XCP12-227 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | PT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
| Puissance - Max | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 100A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 8.55nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | SOT-227-4 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | - | 316635 | Détails |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | 2978 | Détails | |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | - | 316635 | Détails |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | 27 | Détails |