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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDD86102LZ

Numéro d'article	FDD86102LZ
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	8A (Ta), 35A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1540pF @ 50V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22.5 mOhm @ 8A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	TO-252, (D-Pak)
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
FDD8424H	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK	-	45000	Détails
FDD8424H-F085A	ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK	-	21392	Détails
FDD8424H_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK	-	0	Détails
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FDD8444L-F085	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 50A DPAK	-	84236	Détails
FDD8444L_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 50A DPAK	-	887	Détails
FDD8444_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 40V 145A DPAK	-	2500	Détails