DMN63D1LV-13

MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
DMN63D1LV-13 P1
DMN63D1LV-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMN63D1LV-13

Numéro d'article
DMN63D1LV-13
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DMN63D1LV-13 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DMN63D1LV-13
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 550mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.392nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
Puissance - Max 940mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563

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