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| Numéro d'article | 1N4448HWS-7-F |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 250mA |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 4ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 80V |
| Capacitance @ Vr, F | 3.5pF @ 0V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SC-76, SOD-323 |
| Package de périphérique fournisseur | SOD-323 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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1N4444-1 | Microsemi Corporation | DIODE SWITCHING | - | 0 | Détails |
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1N4446 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35 | 0 | Détails | |
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1N4446 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | 0 | Détails | |
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1N4446 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 0 | Détails |
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1N4446TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | Détails | |
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1N4446_T50R | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 0 | Détails | |
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1N4447 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 3195 | Détails |
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1N4447TR | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V DO35 | - | 0 | Détails |
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1N4448 | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | - | 8637 | Détails |
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1N4448 A0G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 5133294 | Détails |
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1N4448 BK | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | 0 | Détails | |
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1N4448 TR | Central Semiconductor Corp | DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 | - | 0 | Détails |