S27KL0641DABHI020

IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
S27KL0641DABHI020 P1
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Cypress Semiconductor Corp ~ S27KL0641DABHI020

Numéro d'article
S27KL0641DABHI020
Fabricant
Cypress Semiconductor Corp
La description
IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Mémoire
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Numéro d'article S27KL0641DABHI020
État de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie DRAM
Taille mémoire 64Mb (8M x 8)
Fréquence d'horloge 100MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès 40ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 2.7 V ~ 3.6 V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 24-VBGA
Package de périphérique fournisseur 24-FBGA (6x8)

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