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Central Semiconductor Corp ~ 1N986B BK

Numéro d'article	1N986B BK
État de la pièce	Obsolete
Tension - Zener (Nom) (Vz)	110V
Tolérance	±5%
Puissance - Max	500mW
Impédance (Max) (Zzt)	750 Ohm
Courant - Fuite inverse @ Vr	5µA @ 83.6V
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.5V @ 200mA
Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	DO-204AH, DO-35, Axial
Package de périphérique fournisseur	DO-35

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
1N914	Microsemi Corporation	DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35	-	599	Détails
1N914-T50A	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	5726971	Détails
1N914-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	0	Détails
1N914A	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	0	Détails
1N914ATR	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	20000	Détails
1N914A_T50R	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	0	Détails
1N914B	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	13981	Détails
1N914B A0G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35	-	4786349	Détails
1N914B,113	NXP USA Inc.	DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2		0	Détails
1N914B-TP	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	0	Détails
1N914BTR	Fairchild/ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	80000	Détails
1N914BTR_S00Z	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35	-	10847	Détails