AS4C16M32MS-6BIN

IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
AS4C16M32MS-6BIN P1
AS4C16M32MS-6BIN P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Alliance Memory, Inc. ~ AS4C16M32MS-6BIN

Numéro d'article
AS4C16M32MS-6BIN
Fabricant
Alliance Memory, Inc.
La description
IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- AS4C16M32MS-6BIN PDF online browsing
Famille
Mémoire
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article AS4C16M32MS-6BIN
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
Type de mémoire Volatile
Format de la mémoire DRAM
La technologie SDRAM - Mobile SDRAM
Taille mémoire 512Mb (16M x 32)
Fréquence d'horloge 166MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page 15ns
Temps d'accès 5.4ns
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 90-VFBGA
Package de périphérique fournisseur 90-FBGA (8x13)

Produits connexes

Tous les produits