ALD110900SAL

MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
ALD110900SAL P1
ALD110900SAL P1
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Advanced Linear Devices Inc. ~ ALD110900SAL

Numéro d'article
ALD110900SAL
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article ALD110900SAL
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 10.6V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 Ohm @ 4V
Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 1µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2.5pF @ 5V
Puissance - Max 500mW
Température de fonctionnement 0°C ~ 70°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOIC

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