NXPSC04650DJ

DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
NXPSC04650DJ P1
NXPSC04650DJ P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

WeEn Semiconductors ~ NXPSC04650DJ

Artikelnummer
NXPSC04650DJ
Hersteller
WeEn Semiconductors
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NXPSC04650DJ PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer NXPSC04650DJ
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Dioden-Typ Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 4A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 4A
Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 0ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 170µA @ 650V
Kapazität @ Vr, F 130pF @ 1V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK
Betriebstemperatur - Kreuzung 175°C (Max)

Verwandte Produkte

Alle Produkte