Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQP100P06-9M3L_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12010pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 187W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQP100N04-3M6_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB | - | 53457 | Einzelheiten |
 |
SQP100P06-9M3L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 100A TO220AB | - | 33812 | Einzelheiten |