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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQ4282EY-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.3 mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2367pF @ 15V |
| Leistung max | 3.9W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SQ4282EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC | - | 91269 | Einzelheiten |
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SQ4284EY-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC | - | 0 | Einzelheiten |