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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIZ320DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc), 40A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V |
| Leistung max | 16.7W, 31W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIZ320DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 | - | 172766 | Einzelheiten |
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