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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | EGF1AHE3_A/H |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 50ns |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214BA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214BA (GF1) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -65°C ~ 175°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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EGF1A | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 1A SMA | - | 22500 | Einzelheiten |
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EGF1A-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Einzelheiten |
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EGF1A-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 3000 | Einzelheiten |
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EGF1AHE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Einzelheiten |
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EGF1AHE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 0 | Einzelheiten |
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EGF1AHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 324434 | Einzelheiten |
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EGF1AHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | - | 324434 | Einzelheiten |
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EGF1B | Fairchild/ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 100V 1A SMA | - | 7500 | Einzelheiten |
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EGF1B-1HE3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 268 | Einzelheiten |
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EGF1B-1HE3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 268 | Einzelheiten |
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EGF1B-E3/5CA | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Einzelheiten |
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EGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | - | 0 | Einzelheiten |