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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DF10MA-E3/45 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Single Phase |
| Technologie | Standard |
| Spannung - Spitzenrücklauf (Max) | 1000V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 1000V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
| Lieferantengerätepaket | DFM |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DF10-26S-2DSA(62) | Hirose Electric Co Ltd | CONN 26PIN THRU HOLE | - | 0 | Einzelheiten |
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DF10-29S-2DSA(62) | Hirose Electric Co Ltd | CONN 29PIN THRU HOLE | - | 0 | Einzelheiten |
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DF10-31S-2DSA(59) | Hirose Electric Co Ltd | CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT | 0 | Einzelheiten | |
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DF10-31S-2DSA(62) | Hirose Electric Co Ltd | CONNECTOR 31 PIN FEMALE STRAIGHT | - | 1865 | Einzelheiten |
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DF10-31S-2DSA(68) | Hirose Electric Co Ltd | CONN 31 PIN FEMALE STRAIGHT | - | 0 | Einzelheiten |
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DF10-G | Comchip Technology | RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF | 2975 | Einzelheiten | |
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DF1000R17IE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A | - | 119 | Einzelheiten |
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DF1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE 1700V 1000A | - | 107 | Einzelheiten |
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DF100R07W1H5FPB53BPSA2 | Infineon Technologies | MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2 | - | 1346 | Einzelheiten |
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DF100R07W1H5FPB54BPSA2 | Infineon Technologies | LOW POWER EASY | - | 1317 | Einzelheiten |
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DF10G5M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 3.6VWM 24VC 10DFN | - | 6000 | Einzelheiten |
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DF10G6M4N,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TVS DIODE 5.5VWM 25VC 10DFN | - | 3000 | Einzelheiten |