Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TH58NVG2S3HTAI0

Artikelnummer	TH58NVG2S3HTAI0
Teilstatus	Active
Speichertyp	Non-Volatile
Speicherformat	EEPROM
Technologie	EEPROM - NAND
Speichergröße	4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	25ns
Zugriffszeit	25ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	48-TSOP I

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
TH58NVG2S3HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR	-	11495	Einzelheiten
TH58NVG2S3HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP		79	Einzelheiten
TH58NVG2S3HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP		127	Einzelheiten
TH58NVG3S0HBAI4	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V	-	6036	Einzelheiten
TH58NVG3S0HBAI6	Toshiba Memory America, Inc.	8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 3.3V	-	7798	Einzelheiten
TH58NVG3S0HTA00	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Einzelheiten
TH58NVG3S0HTAI0	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 8GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Einzelheiten
TH58NVG4S0FTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 16GBIT 25NS 48TSOP	-	0	Einzelheiten
TH58NVG4S0HTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE		72	Einzelheiten
TH58NVG4S0HTAK0	Toshiba Semiconductor and Storage	16GB SLC NAND TSOP 24NM 4K PAGE		0	Einzelheiten
TH58NVG5S0FTA20	Toshiba Semiconductor and Storage	IC EEPROM 32GBIT 25NS 48TSOP		228	Einzelheiten
TH58NVG5S0FTAK0	Toshiba Memory America, Inc.	32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM	-	1635	Einzelheiten