TC58BYG2S0HBAI6

IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
TC58BYG2S0HBAI6 P1
TC58BYG2S0HBAI6 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ TC58BYG2S0HBAI6

Artikelnummer
TC58BYG2S0HBAI6
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- TC58BYG2S0HBAI6 PDF online browsing
Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer TC58BYG2S0HBAI6
Teilstatus Active
Speichertyp Non-Volatile
Speicherformat EEPROM
Technologie EEPROM - NAND
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 25ns
Zugriffszeit 25ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7 V ~ 1.95 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 67-VFBGA
Lieferantengerätepaket 67-VFBGA (6.5x8)

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