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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM6P35AFE,LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | - |
| FET-Eigenschaft | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SSM6P15FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 30V 0.1A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6P16FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6 | - | 3947 | Einzelheiten |
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SSM6P35AFE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS | - | 890002 | Einzelheiten |
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SSM6P35AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | SMALL SIGNAL MOSFET P-CH X 2 VDS | - | 731779 | Einzelheiten |
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SSM6P35FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 | - | 4000 | Einzelheiten |
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SSM6P35FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6P36FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6P41FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6P47NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A | - | 252337 | Einzelheiten |
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SSM6P47NU,LF(T | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-2Y1A | - | 3000 | Einzelheiten |
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SSM6P49NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A | - | 6000 | Einzelheiten |