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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM6N815R,LF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 4V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 103 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Leistung max | 1.8W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP-F |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SSM6322ACPZ-R2 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 250 | Einzelheiten | |
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SSM6322ACPZ-R7 | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 9000 | Einzelheiten | |
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SSM6322ACPZ-RL | Analog Devices Inc. | IC AUDIO AMP DUAL CHAN 24LFCSP | 35000 | Einzelheiten | |
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SSM6H19NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6J206FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 4000 | Einzelheiten | |
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SSM6J207FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6J212FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SSM6J213FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 | - | 4000 | Einzelheiten |
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SSM6J214FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH | - | 623675 | Einzelheiten |
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SSM6J215FE(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 | - | 12000 | Einzelheiten |
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SSM6J216FE,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 | - | 498940 | Einzelheiten |
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SSM6J409TU(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 | - | 0 | Einzelheiten |