Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SSM6N7002BFU(T5L,F |
|---|---|
| Teilstatus | Last Time Buy |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.1 Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 25V |
| Leistung max | 300mW |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM6N7002BFE(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SSM6N7002BFE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SSM6N7002BFU(T5L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SSM6N7002BFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SSM6N7002CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SSM6N7002KFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 60V 0.3A | 0 | Einzelheiten |