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Toshiba Semiconductor and Storage ~ SSM3K310T(TE85L,F)

Artikelnummer	SSM3K310T(TE85L,F)
Teilstatus	Last Time Buy
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.5V, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	14.8nC @ 4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1120pF @ 10V
Vgs (Max)	±10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	700mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	28 mOhm @ 4A, 4V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TSM
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
SSM3K301T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM	-	0	Einzelheiten
SSM3K302T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 3A TSM		0	Einzelheiten
SSM3K303T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM	-	0	Einzelheiten
SSM3K309T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM	-	0	Einzelheiten
SSM3K310T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS	-	3000	Einzelheiten
SSM3K315T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 6A TSM	-	0	Einzelheiten
SSM3K316T(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 4A TSM		0	Einzelheiten
SSM3K318R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM	-	9000	Einzelheiten
SSM3K318T,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM	-	0	Einzelheiten
SSM3K324R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F		45000	Einzelheiten
SSM3K329R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A	-	78000	Einzelheiten
SSM3K333R,LF	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A	-	15000	Einzelheiten