RN1905FE,LF(CB

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
RN1905FE,LF(CB P1
RN1905FE,LF(CB P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN1905FE,LF(CB

Artikelnummer
RN1905FE,LF(CB
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- RN1905FE,LF(CB PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer RN1905FE,LF(CB
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 100mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket ES6

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