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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MT3S20TU(TE85L) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 20mA, 5V |
| Gewinnen | 12dB |
| Leistung max | 900mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 80mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | UFM |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MT3S20P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI | - | 1000 | Einzelheiten |
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MT3S20TU(TE85L) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM | - | 0 | Einzelheiten |