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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | MT3S111P(TE12L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Gewinnen | 10.5dB |
| Leistung max | 1W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PW-MINI |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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MT3S111(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI | - | 265779 | Einzelheiten |
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MT3S111P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI | - | 172183 | Einzelheiten |
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MT3S113(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI | - | 235214 | Einzelheiten |
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MT3S113P(TE12L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI | - | 155697 | Einzelheiten |
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MT3S113TU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM | - | 257065 | Einzelheiten |