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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2SC5095-O(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| Gewinnen | 13dB ~ 7dB |
| Leistung max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 6V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 15mA |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SC-70 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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2SC5095-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN MM-USM | - | 6000 | Einzelheiten |
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2SC5095-R(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANSISTOR NPN MM-USM | - | 0 | Einzelheiten |
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2SC5096-R,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS RF NPN 10V 1GHz SSM | - | 0 | Einzelheiten |
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2SC5099 | Sanken | TRANS NPN 80V 6A TO3PF | - | 0 | Einzelheiten |