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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | CSD16327Q3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 3V, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 24A, 8V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-VSON (3.3x3.3) |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |