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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RUR020N02TL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 540mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 2A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TSMT3 |
| Paket / Fall | SC-96 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RUR020N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3 | 0 | Einzelheiten | |
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RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3 | 0 | Einzelheiten |