RJP6085DPN-00#T2

IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
RJP6085DPN-00#T2 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Renesas Electronics America ~ RJP6085DPN-00#T2

Artikelnummer
RJP6085DPN-00#T2
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IGBT 600V 40A 178.5W TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer RJP6085DPN-00#T2
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 40A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) -
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.5V @ 15V, 40A
Leistung max 178.5W
Energie wechseln -
Eingabetyp Standard
Gate Ladung -
Td (ein / aus) bei 25 ° C -
Testbedingung -
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB

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