R1RW0416DSB-2LR#D1

IC SRAM IBIS ASYNC
R1RW0416DSB-2LR#D1 P1
R1RW0416DSB-2LR#D1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Renesas Electronics America ~ R1RW0416DSB-2LR#D1

Artikelnummer
R1RW0416DSB-2LR#D1
Hersteller
Renesas Electronics America
Beschreibung
IC SRAM IBIS ASYNC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer R1RW0416DSB-2LR#D1
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM
Speichergröße 4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 12ns
Zugriffszeit 12ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket 44-TSOP II

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