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Panasonic Electronic Components ~ 2SK122800L

Artikelnummer	2SK122800L
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	50mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	2.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4.5pF @ 5V
Vgs (Max)	10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	150mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	50 Ohm @ 10mA, 2.5V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	Mini3-G1
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
2SK1058-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P	-	0	Einzelheiten
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2SK1070PIDTL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	-	5989	Einzelheiten
2SK1070PIETL-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	-	5989	Einzelheiten
2SK1070PIETR-E	Renesas Electronics America	JFET N-CH MPAK	-	5985	Einzelheiten
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2SK1339-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P	-	0	Einzelheiten
2SK1340-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P	-	0	Einzelheiten
2SK1341-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P	-	0	Einzelheiten