NTLGD3502NT2G

MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
NTLGD3502NT2G P1
NTLGD3502NT2G P1
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ON Semiconductor ~ NTLGD3502NT2G

Artikelnummer
NTLGD3502NT2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer NTLGD3502NT2G
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.3A, 3.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 480pF @ 10V
Leistung max 1.74W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 6-DFN (3x3)

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