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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NSVIMD10AMT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 13 kOhms, 130 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 285mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SC-74R |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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NSVIMD10AMT1G | ON Semiconductor | SURF MT BIASED RES XSTR | - | 611344 | Einzelheiten |