NGTB30N120IHRWG

IGBT 1200V 60A 384W TO247
NGTB30N120IHRWG P1
NGTB30N120IHRWG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NGTB30N120IHRWG

Artikelnummer
NGTB30N120IHRWG
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 1200V 60A 384W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer NGTB30N120IHRWG
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 60A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Leistung max 384W
Energie wechseln 700µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 225nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C -/230ns
Testbedingung 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247

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