MJD112-001

TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
MJD112-001 P1
MJD112-001 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ MJD112-001

Artikelnummer
MJD112-001
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer MJD112-001
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 2A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 40mA, 4A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 20µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 2A, 3V
Leistung max 1.75W
Frequenz - Übergang 25MHz
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Lieferantengerätepaket I-Pak

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