FDG6332C-F085

MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
FDG6332C-F085 P1
FDG6332C-F085 P1
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ON Semiconductor ~ FDG6332C-F085

Artikelnummer
FDG6332C-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer FDG6332C-F085
Teilstatus Active
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 700mA, 600mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 113pF @ 10V
Leistung max 300mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)

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