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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2N5639G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | 35V |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 20V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 12V (VGS) |
| Widerstand - RDS (Ein) | 60 Ohm |
| Leistung max | 310mW |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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2N5000 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Einzelheiten |
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2N5001 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 593 | Einzelheiten |
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2N5002 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5003 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5004 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5005 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 477 | Einzelheiten |
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2N5010 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6990 | Einzelheiten |
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2N5011 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 5951 | Einzelheiten |
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2N5012 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Einzelheiten |
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2N5012S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 21999 | Einzelheiten |
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2N5013 | Microsemi Corporation | NPN SILICON TRANSISTOR | - | 6639 | Einzelheiten |
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2N5013S | Microsemi Corporation | TRANSISTOR NPN TO-39 | - | 6364 | Einzelheiten |