PMWD15UN,518

MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
PMWD15UN,518 P1
PMWD15UN,518 P1
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NXP USA Inc. ~ PMWD15UN,518

Artikelnummer
PMWD15UN,518
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer PMWD15UN,518
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 11.6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 18.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1450pF @ 16V
Leistung max 4.2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP

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