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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PSMN3R5-40YSDX |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.6V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3245pF @ 20V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Body) |
| Verlustleistung (Max) | 115W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | 10500 | Einzelheiten | |
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PSMN3R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 25500 | Einzelheiten | |
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PSMN3R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN3R0-60BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK | 1600 | Einzelheiten | |
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PSMN3R0-60ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK | 4561 | Einzelheiten | |
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PSMN3R0-60PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB | 8078 | Einzelheiten | |
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PSMN3R2-25YLC,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK | - | 0 | Einzelheiten |
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PSMN3R2-30YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN3R3-40YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 40V LFPAK | 0 | Einzelheiten | |
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PSMN3R3-60PLQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 | 5000 | Einzelheiten | |
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PSMN3R3-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 4800 | Einzelheiten | |
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PSMN3R3-80ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | 0 | Einzelheiten |